Schloss Pretzfeld: Die Wiege der modernen Mikroelektronik
Schloss Pretzfeld: Die Wiege der modernen Mikroelektronik, © Fraunhofer IISB

Schloss Pretzfeld: Die Wiege der modernen Mikroelektronik

Hochreines Silizium ist die Basis für die meisten Mikrochips und Solarzellen. 
Wesentliche Grundlagen für die Silizium-Elektronik wurden nach dem 2. Weltkrieg im Siemens-Halbleiterlabor auf Schloss Pretzfeld in der Fränkischen Schweiz geschaffen. Heute arbeitet das IISB in Erlangen mit neuen Halbleitern wie Siliziumkarbid (SiC) oder Aluminiumnitrid (AlN). 
Erlebt die ganze Geschichte im Vortrag! 

Vortrag

18:00 Uhr, Dauer: 45 Min.
Hans-Georg-Waeber-Saal im 1. OG
max. 100 Besucher

Essen erhältlich Getränke erhältlich WC vorhanden
Wissenschaftszweig(e)

Geschichte und Archäologie, Physik, Elektrotechnik und Informationstechnik, Werkstofftechnik

Tour

W02W02 Tour Erlangen Mitte FAU-Südgelände

Umstiegsmöglichkeiten:
W03

Anfahrt mit dem VGN

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